IBM ja Samsung andsid teada koostööna valminud uuest pooljuhi disainist, kus pannakse transistorid vertikaalselt üksteise peale, mitte horisontaalselt nagu enamasti.
Uus Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) disain peaks olema edasiarendus praegu kasutusel olevast FinFET disainist, mida kasutatakse tänapäeva kõige uudsemates kiipides.
VTFET disain laseb transistoreid tihemini kiipidesse pakkida ning pinge saab liikuda siis vertikaalselt, mitte horisontaalselt. See aga kiirendab transistori lülitumist ning vähendab elektritarbimist. Samuti saavad nad siis ehitada umbes kaks korda kiiremaid kiipe.