IBMi ja Samsungi uue kiibitehnoloogiaga võivad telefonide akud hakata nädal aega kestma

IBMi sõnul aitab läbimurre edasi areneda praegusest kiibi tehnoloogiast.Foto: Shutterstock

IBM ja Samsung andsid teada koostööna valminud uuest pooljuhi disainist, kus pannakse transistorid vertikaalselt üksteise peale, mitte horisontaalselt nagu enamasti.

Uus Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) disain peaks olema edasiarendus praegu kasutusel olevast FinFET disainist, mida kasutatakse tänapäeva kõige uudsemates kiipides. 

VTFET disain laseb transistoreid tihemini kiipidesse pakkida ning pinge saab liikuda siis vertikaalselt, mitte horisontaalselt. See aga kiirendab transistori lülitumist ning vähendab elektritarbimist. Samuti saavad nad siis ehitada umbes kaks korda kiiremaid kiipe.

IBM ja Samsung ütlesid veel, et see saavutus aitab järge pidada Moore’i seadusega, mille kohaselt kahekordistub transistorite arv kiibites iga kahe aasta jooksul.

Ettevõtted lisasid, et usuvad, et see tehnoloogia on üks suur samm lähemale järgmise generatsiooni transistoritele, mis lubavad tulevikus luua väiksemaid, võimsamaid ja energiasäästlikumaid seadmeid.

Märksõnad: , , ,

Populaarsed lood mujal Geeniuses

Igal argipäeval

Ära jää ilma päeva põnevamatest lugudest

Saadame sulle igal argipäeval ülevaate tehnoloogia-, auto-, raha- ja meelelahutusportaali olulisematest lugudest.